北京時(shí)間12月22日消息，中國(guó)觸摸屏網(wǎng)訊，在各種觸控面板制作上，免不了需要將ITO電極進(jìn)行圖形化反復(fù)蝕刻以及去膜程序，容易影響到整體良率與造成銅電極被腐蝕擊穿擊的風(fēng)險(xiǎn)；廠商開發(fā)針對(duì)ITO銅電極、復(fù)合材料與玻璃材料的專業(yè)蝕刻藥劑、蝕刻阻劑，可避免銅電極被腐蝕擊穿的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)大幅降低反復(fù)蝕刻的步驟以降低成本提升良率…

    本文來(lái)自：http://www.shushumall.com/touchpanel/news/front/2011/1222/13074.html

    奇奕國(guó)際(PRIME)項(xiàng)目經(jīng)理李玄文指出，自Apple iPhone問世以后，全球吹起一股觸控技術(shù)應(yīng)用之旋風(fēng)，觸控技術(shù)應(yīng)用范圍越來(lái)越廣。從觸控的原理可分為電阻式、電容式等數(shù)種，以及各種不同種類的透明導(dǎo)電薄膜，接下來(lái)將探討各種材料所適合之制作流程及該制程之技術(shù)困難點(diǎn)。

    觸控面板依原理可分為電阻式、電容式、光學(xué)式與音波式技術(shù)。電阻式利用碰觸的壓力使上下電極接觸導(dǎo)通，藉由控制器量測(cè)電壓變化來(lái)計(jì)算坐標(biāo)。電容式則以排列的透明電極與人體的靜電結(jié)合的電容變化，來(lái)檢測(cè)指碰觸點(diǎn)的坐標(biāo)。光學(xué)式觸控原理在X、Y軸方向各設(shè)有紅外線發(fā)射器與接收器，當(dāng)手指或觸控筆碰觸時(shí)造成光遮斷效應(yīng)，進(jìn)而計(jì)算出碰觸點(diǎn)坐標(biāo)置。波式則在X、Y軸設(shè)音波發(fā)送╱接收器，于無(wú)碰觸狀態(tài)下面板形成一均衡聲波力場(chǎng)，當(dāng)發(fā)生碰觸時(shí)利用聲波被吸收掉的特性來(lái)做觸控的坐標(biāo)定位。

    迭構(gòu)模式可分為G/F/F(Glass Film Film)雙ITO層，跟G/G(Glass Glass)層迭構(gòu)，而G/G又可分G/G DITO雙ITO迭構(gòu)及G/G SITO單ITO層迭構(gòu)。G/F/F在銅薄膜圖形化與ITO薄膜圖形化之間，均經(jīng)過(guò)壓模、顯影、蝕銅、蝕ITO與去膜等步驟。

    而G/G SITO單層結(jié)構(gòu)流程為基板Glass、沈積單面ITO薄膜、ITO薄膜圖形化、沈積絕緣層、絕緣層圖形化、沈積單面ITO薄膜、ITO圖形化、沈積MoAlMo薄膜、MoAlMo薄膜圖形化與沈積SiO2薄膜。

    而G/G DITO雙層結(jié)構(gòu)的流程則為基板Glass、沈積ITO薄膜雙面、上層ITO薄膜圖形化、下層ITO薄膜圖形化、沈積MoAlMo薄膜、MoAlMo薄膜圖形化與沈積SiO2薄膜，中間ITO薄膜圖形化與沈積絕緣層的步驟需反復(fù)進(jìn)行。

現(xiàn)行PET Film制程問題與改良對(duì)策

    李玄文指出現(xiàn)行Pet Film制程有下列問題：1.D/F結(jié)合力的問題。可選用結(jié)合力較佳的D/F，改變?yōu)R鍍銅表面結(jié)構(gòu)(Ra:0.2~0.3μm、Rz:2~3μm)及使用不同鍍銅方式來(lái)增加銅厚度進(jìn)行表面處理。2.Cu/ITO/Film銅線路側(cè)蝕問題。選用類似像ECOPA T551的合適ITO蝕刻劑。3.去膜液攻擊Cu/ITO問題，使用ECOPA T515合適的去膜液。

    在各種不同銅薄膜制程中，以濺鍍銅蝕刻速度最快，化學(xué)銅其次而壓延銅最慢，抵擋能力則是以壓延銅最佳、化學(xué)銅第二、濺鍍銅第三。以Sputter濺鍍銅SEM圖中發(fā)現(xiàn)銅厚度僅100~300nm，無(wú)法進(jìn)行表面處理，且銅表面結(jié)構(gòu)細(xì)致導(dǎo)致D/F結(jié)合力差，制造成本也相對(duì)提高。

    從化學(xué)銅SEM圖來(lái)看，銅厚0.5~2μm可做表面處理，且表面結(jié)構(gòu)粗糙可增加D/F結(jié)合力，制造成本較濺鍍銅低，但須克服像是無(wú)機(jī)酸系化學(xué)銅藥劑，對(duì)ITO攻擊性。他指出使用奇奕蝕刻藥劑，在蝕刻前32/32μm的ITO電極厚度，進(jìn)行ITO蝕刻與去膜后仍維持31/29μm的厚度。

    李玄文以測(cè)試圖表顯示，以6組測(cè)試樣本以30秒為間隔，在以42℃溫度、接口電阻仍維持280~300Ω條件下浸泡去膜液30～180秒，奇奕ECOPA T515去膜液對(duì)銅電極的傷害輕微，而它牌去膜液則造成銅電極氧化甚至被擊穿的情況。

復(fù)合材料一步式蝕刻制程

    李玄文指出，目前透明導(dǎo)電薄膜材料供貨商研發(fā)不同的復(fù)合材料，有單純ITO/PET Film、Cu/ITO/PET Film、Ni-Cu/ITO/PET Film等不同材料，其制作流程會(huì)因材料不同而有所差異。復(fù)合材料的蝕刻流程為基板Pet Film、沈積ITO薄膜單面、沈積復(fù)合金屬薄膜與復(fù)合材料圖形化。而復(fù)合材料層進(jìn)行圖形化時(shí)需進(jìn)行多次蝕刻，容易影響到制程良率響；若蝕刻藥劑能將復(fù)合材料一步性蝕刻圖形化，可降低多次蝕刻程序?qū)α悸实挠绊懀�提升生產(chǎn)速度并降低設(shè)備投資成本。

    他指出一步式蝕刻藥劑是高度客制化產(chǎn)品，要視客戶選擇的復(fù)合材料的種類／特性、制程選擇、所需材料的厚度，并參照合適的蝕刻比率，如銅:ITO=1:6:9。

玻璃化學(xué)成型制程

    觸控用Cover Lens功能為抗油污、防刮傷，其制作流程需依客戶端不同需求，進(jìn)行切割、磨邊、鉆孔、拋光、減薄、化強(qiáng)、印刷、雷射雕刻及鍍膜等光學(xué)加工制程；若客戶的產(chǎn)品外型較復(fù)雜，需數(shù)個(gè)溝槽或通孔，則會(huì)大幅降低其良率。若先以化學(xué)蝕刻成所需形狀成型之后，再輔以機(jī)械研磨加工應(yīng)可達(dá)到上述要求。

    奇奕玻璃蝕刻劑以能蝕刻SiO2二氧化硅玻璃的HF氫氟酸為主，還加入特有配方藥劑以大幅提升蝕刻速率，李玄文也認(rèn)為影響玻璃成型制程的可行性因子，在于蝕刻能力與穩(wěn)定的蝕刻藥劑、合適的耐蝕刻阻劑，以及生產(chǎn)設(shè)備的設(shè)計(jì)等有關(guān)。