ITO的原子與晶粒排布（電子掃描）

        在絕大多數(shù)的場合中，化學蝕刻法是ITO圖形制備最成熟和可行的技術，它可以根據(jù)你的需要，生成目前足夠精細的圖案和相對比較少的前期投資。隨著深紫外線技術在曝光設備上的應用，微米的精度，早已被大多數(shù)廠家所實現(xiàn)。它具有高效率、批次穩(wěn)定性和重復性好、設備投資額低、配套技術完善等諸多優(yōu)點，目前仍是大規(guī)模生產(chǎn)的主要方向，使用的原料有蝕刻膏、抗蝕油墨、光刻膠三種。

       1、蝕刻膏工藝

       化學蝕刻法有以下幾種方式實現(xiàn)：一種是直接在產(chǎn)品電極圖形區(qū)域外印制蝕刻膏，等反應完全后，用蝕刻膏溶劑，一般是水清洗干凈，留下所需的電極圖形。這種方式對于一些線寬和線距要求在0.2mm以上的光電產(chǎn)品如低檔TN顯示器、電阻式觸摸屏、按鍵式電容屏、光伏電池等，因為不用耗費大量的化學物品，對環(huán)境污染影響更小，節(jié)省大量水、電費、場地費用，前期投資費用低廉，一般的絲印行業(yè)就可以掌握大部分技術等因素，有日趨發(fā)展的勢頭。它主要的控制點就在于溫度對于蝕刻速度的控制，設計時要充分考慮邊緣效應這兩點上，一般可以用比較簡單的工場實地實驗，就可以得到比較準備的參數(shù)。

       2、抗蝕油墨工藝

       化學蝕刻法第二種方法，剛好與第一種相反，它是在產(chǎn)品電極圖形區(qū)域內(nèi)印制是阻蝕油墨保護起來，然后把產(chǎn)品浸入化學蝕刻液中，讓產(chǎn)品電極圖形區(qū)域外部分與化學蝕刻液完全反應后，再把阻蝕油墨從產(chǎn)品電極圖形表面剝離下來，形成產(chǎn)品電極圖形。它的線寬和線距做到0.08mm，仍可以達到95%以上的蝕刻良率。這種方法在PCB線路板、薄膜開關、電阻式觸摸屏、光伏電池等產(chǎn)品生產(chǎn)上，目前占據(jù)主流的地位。

       按照最后剝離去的方式不同，阻蝕油墨分為物理剝離型和化學溶液剝離型。其中物理剝離型阻蝕油墨，除了用在電子產(chǎn)品圖形制備生產(chǎn)中，更多的是用在產(chǎn)品表面防護上，以阻止外力損傷產(chǎn)品，隔絕外面環(huán)境中的水、電、氣，防止它們腐蝕產(chǎn)品。其中在電子行業(yè)里應用最多的就是電路板絕緣保護膠，和觸摸屏生產(chǎn)中的表面保護膠。由于物理剝離型阻蝕油墨，如果在產(chǎn)品轉序過程中，需要去除的話，是使用物理外力撕下剝離的，所以一般它的絲印厚度要求在化學溶液剝離型阻蝕油墨的絲印厚度的二到三倍以上，并且在固化程度上，不能象化學溶液剝離型阻蝕油墨一樣，只要達到表面固化即可，也要求一定要完全固化，這樣在生產(chǎn)的后續(xù)加工過程中，邊緣部分不會因為擠壓而變形破裂，在需要移除的時候，產(chǎn)生邊緣殘留。在觸摸屏的生產(chǎn)過程中，表面保護膠的邊緣殘留，是影響產(chǎn)品生產(chǎn)效率和品質(zhì)良品率的主要因素之一。

       化學溶液剝離型阻蝕油墨，按最后剝離時的方式不同，也分為一種是溶解型的，一種是膨脹型的。兩都在蝕刻效果上沒有什么區(qū)別，只是在剝離清洗過程中，溶解型的阻蝕油墨不需要強堿，對一些對堿濃度比較敏感的產(chǎn)品更適合，它的缺點是，為了提高油墨絲印的性能，添加了一些填料在油墨中以增加油墨粘度和定型能力，這些填料，會在剝離溶解過程中，因附壁效應，依附殘留在產(chǎn)品表面，比較難以清洗干凈。這些缺點，在膨脹型的油墨中則不會出現(xiàn)，但膨脹型油墨在剝離時，對堿的濃度要求較高，并且剝離后的油墨呈片狀，在剝離設備的堿液循環(huán)系統(tǒng)中，要有相應的過濾和隔離措施，以免阻塞管路和重復污染產(chǎn)品。

       阻蝕油墨的關鍵參數(shù)是針孔度和粘度，由于一般都是制作線寬線距0.08mm以上的產(chǎn)品，一般的針孔度都能達到要求，所以在實際生產(chǎn)過程，主要關注的是粘度變化。

       3、光刻膠工藝

       化學蝕刻方法在線寬線距要求在0.07mm以下的產(chǎn)品生產(chǎn)過程中，上面的兩種方式就很難達到要求了，這時就需要一種更為精細的第三種化學蝕刻方式，光刻膠化學蝕刻。

       光刻膠又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經(jīng)光照后，在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)適當?shù)娜軇┨幚恚�溶去可溶性部分，得到所需圖像。光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制版等過程。光刻膠的技術復雜，品種較多。根據(jù)其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。基于感光樹脂的化學結構，光刻膠可以分為三種類型。①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發(fā)單體聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特點。②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，經(jīng)光照后,會發(fā)生光分解反應,由油溶性變?yōu)樗�溶性，可以制成正性膠。③光交聯(lián)型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負性光刻膠。柯達公司的產(chǎn)品KPR膠即屬此類。