北京時間11月17日消息，中國觸摸屏網訊，坐等Micro LED面市？華燦下了這么大功夫進展如何。華燦目前與多家廠商在聯合開發應用于不同終端的Micro LED，由于涉及到很多商務上的保密協議，在這里自然也不能透露過多。那么對這個問題最好的回答只有三個字，進展中。
 
那么這里主要講一下在芯片研發進展中我們碰到的一些問題和思考。剛開始準備要做Micro LED的時候，作為專注于做芯片的我們面臨的最大的問題是我們要做出怎么樣的芯片，做Micro LED芯片陣列還是薄膜的Micro LED芯片。為此我們考察了不同顯示應用中所需要的顯示面積以及像素總量。據此我們把顯示應用分為四個象限。
 
第一個象限需要比較大的顯示面積以及比較多的像素總量，代表應用為電視，電腦屏幕等。

    本文來自：http://www.shushumall.com/lcd/news/dynamic/2017/1117/48806.html

 

第二個象限需要較小的顯示面積以及較多的像素總量， 代表應用為VR，AR等。
 
第三個象限是較小的顯示面積以及較少像素總量，代表應用為手表，手機等。
 
第四個象限是較大的顯示面積以及較少的像素總量，代表應用為HUD以及透明顯示屏等。

 

對于Micro LED芯片陣列，可能更加適用于高像素密度的小屏幕應用，也就是第二象限。對于薄膜的Micro LED芯片更加適用于底像素密度的大屏幕應用，也就是第四象限。了解清楚了要做的最終產品之后也就知道我們要做哪種芯片。
 
不論是之前講的Micro LED芯片陣列還是薄膜Micro LED芯片，做出來之后直接面臨的另一個問題是如何表征和測試。同轉移類似，面對如此大量的Micro LED芯片，肯定也需要一種巨量測試(mass testing)方案。面對Micro LED芯片尺寸的不斷縮小，傳統用針接觸式（probing）的測試方案實現難度較大。很多廠家甚至在Micro LED芯片bonding到顯示背板上之后對整個背板進行測試驗證，然后對壞點進行修復，這個會極大的增加對背板修復的成本。
 
目前比較可行的方案是非接觸式的PL成像方案。具體如下圖，首先用激光照射覆蓋一定數量的Micro LED芯片，然后用PL的攝像頭拍攝被激光照射區域的Micro LED芯片的PL成像狀況。由于外延或者工藝制成導致Micro LED芯片亮度較低或者不亮的可以被此方法檢出。此方案能夠檢測出出貨前芯片的絕大部分異常，但是對芯片電壓和電極接觸不良的異常無法驗出,還需要測試設備廠家配合研發新的設備。
 

 
在這里只提這兩點，希望能引出更廣范圍的討論和更有創造性的方案來推動行業的進展。除此之外，Micro LED芯片的產業化在外延均勻性，工藝制成良率，巨量轉移等方面都存在一定的技術瓶頸，行業內的各行家都有很多創新的意見和建議，在這里也不再重復。
 
我們華燦光電在這些方面同樣有進行一定的研究。在外延方面，我們特別針對外延的波長、亮度、電壓均勻性進行了優化，四寸片的波長STD從1.8 nm下降到 0.7 nm。同時我們還優化了生產條件使得單片particle數量大大下降。為了增大外延片的利用率，我們已經著手優化6寸外延片的生長條件；在芯片方面，我們主要在微米級尺寸芯片制成，側壁保護，襯底剝離，和芯片出光調控方面作了相應優化創新。目前在10-30 um 尺寸左右的Micro LED芯片陣列以及薄膜Micro LED芯片方面都取得了較好的進展。
 
最后希望能夠盡早的看到真正應用了Micro LED芯片的產品，特別是采用了華燦的Micro LED芯片的終端產品，到時候一定能夠討論得更多。

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